等离子体刻蚀控制器Skill plasma-etch-controller

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name: plasma-etch-controller description: 用于各向异性纳米结构图案化的等离子体刻蚀技能，具有选择性和轮廓控制能力 allowed-tools:

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• Bash metadata: specialization: 纳米技术 domain: 科学 category: 制造 priority: high phase: 6 tools-libraries:
  • 刻蚀模拟器
  • OES/干涉分析

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等离子体刻蚀控制器

目的

等离子体刻蚀控制器技能为纳米制造提供全面的等离子体刻蚀工艺控制，实现具有优化选择性、轮廓控制和最小损伤的各向异性图案转移。

能力

• 刻蚀化学选择
• 各向异性和选择性优化
• 终点检测
• 轮廓和侧壁角度控制
• 负载效应补偿
• 等离子体损伤评估

使用指南

等离子体刻蚀工艺

1. 化学选择

   • 根据材料匹配化学物质
   • 考虑选择性要求
   • 解决侧壁钝化问题

2. 轮廓控制

   • 优化离子能量
   • 平衡化学和物理过程
   • 控制侧壁角度

3. 终点检测

   • 使用OES进行物种监测
   • 应用干涉测量法
   • 实施基于时间的备份方案

工艺集成

• 纳米光刻工艺开发
• 纳米器件集成工艺流程

输入模式

{
  "material": "string",
  "mask_type": "string",
  "target_depth": "number (nm)",
  "feature_cd": "number (nm)",
  "selectivity_requirements": {
    "to_mask": "number",
    "to_underlayer": "number"
  }
}

输出模式

{
  "etch_recipe": {
    "gases": [{"gas": "string", "flow": "number (sccm)"}],
    "pressure": "number (mTorr)",
    "rf_power": "number (W)",
    "bias_power": "number (W)"
  },
  "etch_rate": "number (nm/min)",
  "selectivity": {
    "to_mask": "number",
    "to_underlayer": "number"
  },
  "sidewall_angle": "number (degrees)",
  "uniformity": "number (%)"
}